電壓試驗中的假擊穿現象是指在高電壓施加過程中，試品未發(fā)生實質性絕緣破壞，但測試系統因非絕緣失效因素誤判為擊穿的現象。此類現象多由測試環(huán)境干擾、試品表面特性或測試系統自身缺陷引起，可能導致試驗結論誤判，需結合多維度分析進行甄別。

假擊穿的產生機理主要包括以下方面：首先，測試系統存在局部放電干擾，例如電極接觸不良、試品表面污染或受潮時，會在電場集中區(qū)域產生重復性表面放電，形成脈沖電流信號，其幅值與波形特征易被誤判為擊穿；其次，電磁兼容性問題（如空間電磁干擾、接地環(huán)路感應電流）會引入高頻噪聲，導致測量回路出現異常信號躍變；此外，試品內部氣隙或分層結構在電場作用下可能發(fā)生局部電離，產生瞬時導電通道，但未形成貫穿性破壞路徑。值得注意的是，某些高分子材料在高壓下發(fā)生極化電流突變或介質損耗激增時，也可能引發(fā)誤判。

與真擊穿相比，假擊穿具有可逆性與非破壞性特征。真擊穿通常伴隨不可逆的絕緣結構損傷，擊穿點呈現碳化通道或熔融痕跡，擊穿后絕緣電阻顯著下降且無法恢復；而假擊穿后試品電氣性能可自行恢復，重復試驗時擊穿電壓無明顯規(guī)律性偏移。從信號特征分析，真擊穿電流波形呈指數衰減且持續(xù)時間較長（>100μs），而假擊穿多為持續(xù)時間短（<10μs）的離散脈沖群，且脈沖幅值分布具有隨機性。

為有效抑制假擊穿干擾，需采取綜合措施：①優(yōu)化測試環(huán)境，控制相對濕度≤40%，清潔試品表面并預干燥處理；②采用屏蔽室與雙屏蔽電纜，在測量回路增設RC濾波網絡；③選用陡前沿抑制型高壓電極，通過倒角設計降低表面場強；④實施多參數同步監(jiān)測，結合局部放電譜圖、電流諧波分量及紅外熱成像進行聯合診斷。對于復合絕緣材料，建議采用階梯升壓法并延長耐壓時間，以區(qū)分瞬時放電與真實擊穿。通過上述技術手段，可顯著提高電壓試驗結果的有效性，為絕緣性能評估提供可靠依據。