測量時間

分布電容充電時間達數(shù)十分鐘（例：電纜測試中初始阻值偏低，60s后穩(wěn)定）

設定定時測量（如GB/T 3048規(guī)定電纜測量時間60s）。

重復測量

殘余電荷疊加（導致二次測量阻值↑30%以上）

測量為基準，重復測試需放電≥30分鐘。

電壓選擇

高電壓激活材料漏電流（1000V比100V測值低50%）

根據(jù)標準選擇電壓（如IEC 60243規(guī)定絕緣材料測試電壓梯度1kV/mm）。

溫度波動

半導體反向漏電流隨溫度↑8℃翻倍（硅材料特征）。

恒溫實驗室（±1℃），數(shù)據(jù)換算至標稱溫度（如25℃）。

濕度干擾

表面吸濕（濕度↑60%→表面電阻↓100倍）。

預干燥處理（50℃烘箱2h）+實時濕度監(jiān)控。

環(huán)境電磁干擾

電磁場感應電流（電焊機啟動時噪聲電流達10?1?A）

雙重屏蔽室、低噪聲同軸電纜（屏蔽層接地阻抗＜1Ω）。